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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
104
左右 -189% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
36
读取速度,GB/s
3,192.0
16.0
写入速度,GB/s
2,404.5
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3071
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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