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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
104
左右 -259% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
29
读取速度,GB/s
3,192.0
18.1
写入速度,GB/s
2,404.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3485
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
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