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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
104
左右 -206% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
34
读取速度,GB/s
3,192.0
13.8
写入速度,GB/s
2,404.5
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2920
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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