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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
104
左右 -300% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
26
读取速度,GB/s
3,192.0
15.9
写入速度,GB/s
2,404.5
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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