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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
104
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
37
读取速度,GB/s
3,192.0
15.1
写入速度,GB/s
2,404.5
12.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2939
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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