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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
104
左右 -420% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
20
读取速度,GB/s
3,192.0
18.2
写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3321
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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