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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905702-007.A00G 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
104
左右 -160% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
40
读取速度,GB/s
3,192.0
12.8
写入速度,GB/s
2,404.5
7.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1785
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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