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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9965604-001.D00G 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
104
左右 -197% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
35
读取速度,GB/s
3,192.0
10.5
写入速度,GB/s
2,404.5
8.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2353
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Kingston 9965604-001.D00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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