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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
104
左右 -154% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
41
读取速度,GB/s
3,192.0
15.4
写入速度,GB/s
2,404.5
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2993
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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