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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
104
左右 -189% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
36
读取速度,GB/s
3,192.0
17.4
写入速度,GB/s
2,404.5
11.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2876
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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