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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
104
左右 -189% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
36
读取速度,GB/s
3,192.0
14.8
写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2711
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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