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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
104
左右 -206% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
34
读取速度,GB/s
3,192.0
15.5
写入速度,GB/s
2,404.5
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2881
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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