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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
104
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
47
读取速度,GB/s
3,192.0
11.1
写入速度,GB/s
2,404.5
7.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1967
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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