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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
104
左右 -206% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
34
读取速度,GB/s
3,192.0
15.9
写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2910
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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