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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
104
左右 -215% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
33
读取速度,GB/s
3,192.0
14.4
写入速度,GB/s
2,404.5
11.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2693
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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