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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
104
左右 -352% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
23
读取速度,GB/s
3,192.0
14.1
写入速度,GB/s
2,404.5
8.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2388
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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