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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
104
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
44
读取速度,GB/s
3,192.0
14.9
写入速度,GB/s
2,404.5
11.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2191
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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