RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Teclast TLD416G26A30 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teclast TLD416G26A30 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
104
左右 -189% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
36
读取速度,GB/s
3,192.0
15.9
写入速度,GB/s
2,404.5
13.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2719
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
报告一个错误
×
Bug description
Source link