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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
104
左右 -247% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
30
读取速度,GB/s
3,192.0
17.5
写入速度,GB/s
2,404.5
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2807
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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