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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
104
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
27
读取速度,GB/s
3,192.0
17.2
写入速度,GB/s
2,404.5
13.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3292
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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