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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
3,858.9
15.4
写入速度,GB/s
1,574.4
11.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
2758
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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