RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2758
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-049.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link