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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
3,858.9
18.5
写入速度,GB/s
1,574.4
17.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
4152
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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