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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
3,858.9
15.1
写入速度,GB/s
1,574.4
12.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
2873
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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