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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

总分
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

总分
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.4
    测试中的平均数值
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB 需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    65 left arrow 74
    左右 -14% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 2,201.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    74 left arrow 65
  • 读取速度，GB/s
    4,178.4 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    2,201.1 left arrow 8.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    508 left arrow 2041

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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内存RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
内存RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
内存RAM