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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
15.7
写入速度,GB/s
2,201.1
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3671
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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