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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
74
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
34
读取速度,GB/s
4,178.4
16.6
写入速度,GB/s
2,201.1
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3415
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
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Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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