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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
74
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
32
读取速度,GB/s
4,178.4
17.0
写入速度,GB/s
2,201.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3637
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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