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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
74
左右 -80% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
41
读取速度,GB/s
4,178.4
16.3
写入速度,GB/s
2,201.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3146
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calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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