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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
18.3
写入速度,GB/s
2,201.1
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3934
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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