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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
74
左右 -139% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
31
读取速度,GB/s
4,178.4
15.1
写入速度,GB/s
2,201.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3095
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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