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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
19.6
写入速度,GB/s
2,201.1
17.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
4000
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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