Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

总分
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

总分
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 17.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,201.1 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 74
    左右 -164% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    74 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    4,178.4 left arrow 17.5
  • 写入速度,GB/s
    2,201.1 left arrow 13.3
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    508 left arrow 3317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较