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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
74
左右 -139% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
31
读取速度,GB/s
4,178.4
16.3
写入速度,GB/s
2,201.1
11.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3179
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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