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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
74
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
34
读取速度,GB/s
4,178.4
22.6
写入速度,GB/s
2,201.1
16.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3597
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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