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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
17.2
写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3242
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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