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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
16.9
写入速度,GB/s
2,201.1
13.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3192
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
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