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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
16
74
左右 -363% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
16
读取速度,GB/s
4,178.4
22.1
写入速度,GB/s
2,201.1
18.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3906
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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