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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905624-013.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
74
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
27
读取速度,GB/s
4,178.4
14.5
写入速度,GB/s
2,201.1
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2393
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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