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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905624-016.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
74
左右 -208% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
24
读取速度,GB/s
4,178.4
15.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2666
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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