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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 -185% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
26
读取速度,GB/s
4,178.4
14.2
写入速度,GB/s
2,201.1
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1813
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 9965426-169.A00LF 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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