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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston HX424C15FB/16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston HX424C15FB/16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX424C15FB/16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
15.5
写入速度,GB/s
2,201.1
8.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2550
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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