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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
81
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
81
读取速度,GB/s
4,178.4
14.4
写入速度,GB/s
2,201.1
7.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1824
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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