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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

总分
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

总分
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 74
    左右 -222% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.0 left arrow 2,201.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    74 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    4,178.4 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    2,201.1 left arrow 7.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    508 left arrow 2103

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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内存RAM
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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内存RAM
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
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