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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Team Group Inc. 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Team Group Inc. 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
15.3
写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2873
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Team Group Inc. 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
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