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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
74
左右 -208% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
24
读取速度,GB/s
4,178.4
15.9
写入速度,GB/s
2,201.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2854
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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