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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

总分
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

总分
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Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,201.1 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB 需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 74
    左右 -147% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    74 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    4,178.4 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    2,201.1 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    508 left arrow 3140

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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