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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
90
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
90
读取速度,GB/s
4,178.4
15.6
写入速度,GB/s
2,201.1
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1743
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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