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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
77
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
77
读取速度,GB/s
4,178.4
15.5
写入速度,GB/s
2,201.1
8.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1809
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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