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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
16.7
写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2948
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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